当前位置:网站首页技术文章 > 倍加福光电传感器ML4.1-8-H-20-RT/95/110参数

产品列表 / products

倍加福光电传感器ML4.1-8-H-20-RT/95/110参数

更新时间:2025-03-20 点击量:192

倍加福光电传感器ML4.1-8-H-20-RT/95/110参数

倍加福光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础,把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体,可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上,此时光子能量就传递给电子,并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收,电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化,从而使受光照射的物体产生相应的电效应。倍加福光电传感器通常把光电效应分为3 类:(1)在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应,如光电管、光电倍增管等;(2)在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应,如光敏电阻、光敏晶体管等;(3)在光线作用下,物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏应,如光电池等。

光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。
光电传感器在一般情况下,有三部分构成,它们分为:发送器、接收器和检测电路。
发送器对准目标发射光束,发射的光束一般来源于半导体光源,发光二极管(LED)、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射,或者改变脉冲宽度。接收器有光电二极管、光电三极管、光电池组成。在接收器的前面,装有光学元件如透镜和光圈等。在其后面是检测电路,它能滤出有效信号和应用该信号。

NJ1.5-8G8M40-E2-Y24293
NJ15-M1K-E2
NJ0.8-5GM-N
NJ10-22-NE93-Y30629-70
NJ15+U1+U
NJ30+U1+E2
NJ15+U1+E2
NJ30+U1+E2
NJ1.5-8GM-N
NJ0.8-5GM-N
NJ10-22-N
NJ10-22-NE93-Y30629-70
NJ15-18GK-N-150
NJ1.5-PD-U2.2.062-V93 P/N:906642
NJ1.5-PD-US-1.250-V93 P/N:90664
NJ5-18GM-N-V1
NJ15+U1+DW1-10
NJ5-18GM-N
NJ5-18GK-N-150 DC8V 500HZ
NJ6-F-E2-Y15896 3M
NJ4-12GM40-E-V1
NJ4-M12-AP6X-H1141
NJ15+UI+A-T
NJ15+U1+E2
NJ4-12GM40-E-V1
NJ6-F-E2-Y15896 3M
NJ40+U1+W
NJ20+U1+W
NJ4-12GM40-E-V1
NJ6+F+E2-Y15896 3M
NJ-1.5-18GM-N-D
NJ2-V3-N
NJ20-U1-E2
NJ15+U1+DW1-100
NJ15+U1+E
NJ15-30GM50-E2
NJ15-30GM50-E2-V1
NJ50-FP-E2-P1
NJ28Y+U+E3
NJ25-50-N
NJ15+V1+E
NJ20+U1+E2
NJ20+V2+A2
NJ50+FP+E2
NJ1.5-18GM-N-D-V1
NJ1.5-8GM50-E
NJ4-12GM40-E2
NJ10+U1+E2
NJ40+U1+E2
NJ2-V3-N
NJ15+U1+E
NJ20+U1+E
NJ30+U1+E
NJ4-12GM40-E-V1
NJ4-12GM50-WS
NJ5-15G
NJ15+U1+U
NJ5-18GK-N-150
NJ15+U1+E2
NJ40+U1+E2
NJ15+U1+W
NJ50-F1P-W-P1 DC24V
NJ20+U10+E2
NJ8-18GM50-12-ER
NJ8-18GM50-E2-V1
NJ50+FP-W-P1
NJ20+U1+E0
NJ15+U1+E2
NJ30+U1+E2
NJ20+U1+E2
NJ30+U1+E0
NJ30+U1+E2

倍加福光电传感器ML4.1-8-H-20-RT/95/110参数