P+F传感器NBB2-6,5M30-E2应用说明

P+F传感器NBB2-6,5M30-E2应用说明

P+F传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电量，如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等;也可用来检测能转换成光量变化的其他非电量，如零件直径、表面粗糙度、应变、位移、振动、速度、加速度，以及物体的形状、工作状态的识别等。光电式传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因此在工业自动化装置和机器人中获得广泛应用。近年来，新的光电器件不断涌现，特别是CCD图像传感器的诞生，为P+F传感器的进一步应用开创了新的一页。

倍加福光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。倍加福光电传感器通常把光电效应分为3 类：（1）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏应，如光电池等。

NBB1,5-8GM50-E2
NBB1.5-8GM50-E2-5M
KFD2-BR-1.PA.93
NCN25-F35-A2-250-V1
NBB1,5-8GM50-Z3-V3
NBB1,5-8GM60-A0
NBB1,5-8GM60-A2
NBB2-6,5M25-E2-V3
NBB2-6,5M30-E0
NBB2-8GH20-E2-V3
NBB2-8GM25-E1-V3
NBB2-8GM25-E2-V3
NBB2-8GM25-E3-V3
NBB2-8GM30-A2-V1
NBB2-8GM30-E0
NBB2-8GM30-E0-V1
NBB2-8GM30-E2
NBB2-8GM30-E2-0,5M-V1
NBB2-8GM30-E2-5M
NBB2-8GM30-E2-V1
NBB2-8GM30-E3-10M
NBB2-8GM40-E0-V1
NBB2-8GM40-E2-V1
NBB2-8GM40-E2-V3
NBB2-8GM40-E3-V3
NBB2-8GM50-E0
NBB2-8GM50-E2
NBB2-8GM50-E2-5M
NBB2-8GM50-E2-10M
NBB2-12GM40-E0
NBB2-12GM40-E1
NBB2-12GM40-E2
NBB2-12GM40-E2-V1
NBB2-12GM40-E3
NBB2-12GM40-Z0
NBB2-12GM40-ZO-5M
NBB2-12GM40-Z0-10M
NBB2-12GM40-Z0-V1
NBB2-12GM50-A2-V1

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